CGHV96100F2 (Package Type — 440217)

Tedarikçi:
User Library
Model Adı:
CGHV96100F2 (Package Type — 440217)
Yapılandırma Adı:
Parça Numarası:
CGHV96100F2
Miktar:
Ad:
Soyadı:
E-posta:
Telefon Numarası:
Şirket Adı:
Adres:
Şehir:
Eyalet/İl:
Ülke:
Posta Kodu:
Yorumlar:
Bir kopyasını bana e-posta ile gönder:
   
Değiştirilme tarihi: Haziran 09,2019  
Derecelendirme: 
İndirmeler: 101
 
Yorumlar: 
 
 

Bu model için daha iyi veya düzeltilmiş bir sürümünüz mü var?
Alternatif Sürüm Gönderin   (Oturum açma zorunludur)
Bu 3B Modeli Blog Sayfanıza Ekleyin

 
Uygunsuz içerik bildir

Teknik Özellikler
Tedarikçi parça numarası: CGHV96100F2
Ad:CGHV96100F2 (Package Type — 440217)
Açıklama:CGHV96100F2 100 W, 8.4 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT Cree’s CGHV96100F2 is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on Silicon Carbide (SiC) substrates. This GaN Internally Matched (IM) FET offers excellent power added efficiency in comparison to other technologies. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths compared to GaAs transistors. This IM FET is available in a metal/ceramic flanged package for optimal electrical and thermal performance.
Tedarikçi parça numarası:CGHV96100F2
   

 

Modeli, 3B veya 2B formatında belirtilen boyutlandırma parametrelerine göre indirin.
(Oturum açma zorunludur)
  Bu Parçayı İlk Derecelendiren Siz Olun  (Oturum açma zorunludur)

Uygunsuz Yorum Bildir


Bu model için farklı bir sürümünüz mü var? Alternatif Sürüm Gönderin (Oturum açma zorunludur)

Katkıda Bulunan
Bu kullanıcının diğer katkıları

Parça ve Montajlar

 

 

 
Hossein Yousefi

Üyelik süresi: 27.06.2013
Başlık: Designer
 
Beceriler:
Electro/Mechanical PCB Designer
İlgilenilenler:
Engineering,Music,Pottery
 
  Uygunsuz Kullanıcı Bildir